近紫外GaN基量子阱结构的局域和极化效应

doi:10.19728/j.issn1672-6634.2024070014

聊城大学学报（自然科学版） ›› 2025, Vol. 38 ›› Issue (02) : 218 -223. DOI: 10.19728/j.issn1672-6634.2024070014

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摘要

在具有蓝宝石衬底的AlN模板上外延生长了近紫外In_0.01Ga_0.99N/Al_0.15Ga_0.85N多量子阱结构，对其荧光（PL）特性进行了测量。结果显示，该结构的PL峰位能量和线宽的温度行为分别呈“S”形（降低-增加-降低）和“W”形（变窄-变宽-变窄-变宽）,而其激发功率行为则分别呈“N”形（增加-降低-增加）和“V”形（变窄-变宽）。这些行为表明了该量子阱结构中载流子复合发光的局域特征和量子限制斯塔克效应的库伦屏蔽效应。前者被归因于阱厚起伏所导致的阱层内的势起伏，而后者则被归因于阱/垒晶格失配所诱发的极化电场。此外，该结构的积分PL强度的温度行为也证实了其阱层内局域深度的非均一性。