一维碳化硅纳米材料的制备及其电磁波吸收应用进展

聊城大学学报(自然科学版) ›› 2025, Vol. 38 ›› Issue (02) : 232 -250.

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聊城大学学报(自然科学版) ›› 2025, Vol. 38 ›› Issue (02) : 232 -250. DOI: 10.19728/j.issn1672-6634.2024070017

一维碳化硅纳米材料的制备及其电磁波吸收应用进展

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摘要

信息安全和目标隐身的迫切需求使得电磁波吸收材料的研究成为热点之一。具有高纵横比的一维碳化硅(SiC)纳米材料因其良好的介电损耗和耐高温性能,被广泛应用于高温电磁波吸收领域。本文综述了一维SiC材料的制备方法(静电纺丝法、模板法、水热法、化学气相沉积法),阐述关键工艺参数对材料组分和结构的影响规律,重点关注SiC复合材料(一维SiC复合碳基材料、磁性材料以及MXene材料)的组分、结构与其电磁参数之间关联性,从而阐明一维SiC材料的电磁波吸收机制和应用。最后,提出了一维SiC材料在电磁波吸收领域的应用前景与挑战。

关键词

一维碳化硅 / 阻抗匹配 / 介电损耗 / 磁损耗 / 电磁波吸收

Key words

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一维碳化硅纳米材料的制备及其电磁波吸收应用进展[J]. 聊城大学学报(自然科学版), 2025, 38(02): 232-250 DOI:10.19728/j.issn1672-6634.2024070017

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