应力释放对InGaN/GaN量子阱有源区发光特性的影响机制

郭一庸; 武智波; 徐昊一; 李长富; 高渊; 冀子武

doi:10.19728/j.issn1672-6634.2025100010

聊城大学学报（自然科学版） ›› 2026, Vol. 39 ›› Issue (2) : 249 -254. DOI: 10.19728/j.issn1672-6634.2025100010

应力释放对InGaN/GaN量子阱有源区发光特性的影响机制

郭一庸, 武智波, 徐昊一, 李长富, 高渊, 冀子武

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摘要

制备了两个不同的绿光InGaN/GaN量子阱(QW)结构(具有和不具有应力释放层),研究了其电致发光(EL)的注入电流依赖性和光致发光(PL)的温度依赖性。EL测量结果显示,与不具有应力释放层的QW结构(S1)相比,具有应力释放层的QW结构(S2)有一个较强的EL强度、显著的能量红移和一个较小的效率下垂;而PL测量结果则显示了S2比S1有更少的非辐射中心、更大的活化能和更高的内量子效率。这些结果表明,应力释放层的导入不仅缓解了有源区的应力、增加了In原子的并入,还提高了其有源区的结构质量、增强了其局域效果,同时降低了其电子泄露。这一解释得到了高分辨率X射线衍射测量结果的证实,结果显示S2比S1有更低的位错密度和更好的结构/结晶质量。