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摘要
认知障碍(cognitive impairment,CI)是指记忆、注意力、执行功能等认知领域的衰退,常见于阿尔茨海默病、血管性痴呆和慢性脑缺血等神经系统疾病中,严重影响患者的生活质量。重复经颅磁刺激(repetitive transcranial magnetic stimulation,rTMS)作为一种非侵入性、安全的神经调控技术,通过外加磁场调节大脑皮质的神经活动,已被广泛应用于认知障碍的治疗研究中,并显示出良好的临床前景。有研究表明,rTMS可通过调控皮质兴奋性、拮抗氧化应激、抑制炎症反应、加强脑区功能连接、促进血管新生等方面发挥增强突触结构与功能的稳定性、优化神经递质平衡、降低自由基水平和抑制炎症因子的生成、提升网络连接效率、改善脑区血流量和代谢功能等促进神经元修复以改善认知功能,但其具体机制尚未明确。文章旨在从皮质兴奋性、氧化应激、炎症反应、脑区功能连接、血管新生这5个方面在认知障碍中的作用及其相关分子靶点的研究展开论述,深入分析其介导rTMS治疗认知障碍的机制,以期为rTMS干预认知障碍提供理论指导。
关键词
认知障碍
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重复经颅磁刺激
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作用机制
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综述
Key words
重复经颅磁刺激治疗认知障碍机制研究进展[J].
辽宁中医药大学学报, 2025, 27(10): 63-68 DOI:10.13194/j.issn.1673-842X.2025.10.011