含氟芳香族低介电损耗PI薄膜的制备与性能

摘要

聚酰亚胺（PI）薄膜在5G通信场景中具有广阔的使用前景，但5G天线基材对于PI薄膜在高频电场下的介电损耗等性能有十分苛刻的要求。本文制备了含氟共聚PI薄膜，并对其在高频下影响介电性能的部分因素进行探索。采用红外、紫外、热重分析、差示扫描量热等多种测试方法对不同共聚比例PI薄膜样品的热性能、热稳定性和光透过性等进行研究。结果表明，PI薄膜的最高透光率都在90%以上；PI-AD系列PI薄膜最大拉伸强度为112.68 MPa，拉伸模量为3.22 GPa;PI-AE系列PI薄膜的最大拉伸强度为119.32 MPa，拉伸模量为3.52 GPa。PI薄膜受热分解的温度均达到500℃以上，玻璃化转变温度达到270℃以上；含氟共聚PI薄膜在电场为10 GHz的条件下，介电常数都低于3，最低介电损耗为0.004 12。

关键词

聚酰亚胺薄膜 / 含氟 / 芳香族 / 介电损耗