钛酸钡基阻变存储单元的构建及其特性

郝瑞; 刘越; 刘贵山

doi:10.19670/j.cnki.dlgydxxb.2023.7004

大连工业大学学报 ›› 2024, Vol. 43 ›› Issue (01) : 51 -55. DOI: 10.19670/j.cnki.dlgydxxb.2023.7004

钛酸钡基阻变存储单元的构建及其特性

郝瑞, 刘越, 刘贵山

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摘要

采用磁控溅射在低阻态Si(100)衬底上制备均匀的钛酸钡(BTO)薄膜，通过磁控溅射制备Ag电极，构建Si(100)/BTO/Ag阻变存储单元。利用XRD,SEM和AFM对不同退火温度和保温时间下的BTO薄膜结构和形貌进行表征，利用数字源表对Si(100)/BTO/Ag阻变存储单元进行阻变性能测试。结果表明，退火温度750℃、保温0.5 h条件下制备的BTO薄膜结晶度最高，薄膜表面晶体颗粒呈均匀分布，构建的Si(100)/BTO/Ag阻变存储单元阻变性能最佳，呈现典型的双极性开关效应。