In2S3/MgIn2S4异质结光催化材料的制备及其性能

张玉萍, 王宇, 郑楠, 董晓丽

大连工业大学学报 ›› 2024, Vol. 43 ›› Issue (06) : 410 -414.

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大连工业大学学报 ›› 2024, Vol. 43 ›› Issue (06) : 410 -414. DOI: 10.19670/j.cnki.dlgydxxb.2024.6002

In2S3/MgIn2S4异质结光催化材料的制备及其性能

    张玉萍, 王宇, 郑楠, 董晓丽
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摘要

通过溶剂热法以In2S3花球和MgIn2S4前驱体为原料制备了In2S3/MgIn2S4异质结光催化剂。通过XRD、SEM、DRS和电化学测试等表征所制备样品的晶体结构、形貌、光学和光电化学特性。用可见光降解甲基橙测定了In2S3/MgIn2S4异质结光催化剂的光催化活性。实验结果表明,In2S3/MgIn2S4异质结构有效提高了MgIn2S4的可见光吸收能力和光生电子-空穴分离能力,使得光催化降解效果明显增强。当In2S3与MgIn2S4的质量比为0.03∶1时,In2S3/MgIn2S4-2具有最高的光催化活性。可见光照射40 min后,In2S3/MgIn2S4-2对甲基橙的降解率达到96.1%。经过4次循环实验,异质结材料仍能保持较好的光催化活性,表明其具有良好的重复利用性。

关键词

光催化剂 / 硫铟镁 / 硫化铟 / 甲基橙 / 光催化降解

Key words

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In2S3/MgIn2S4异质结光催化材料的制备及其性能[J]. 大连工业大学学报, 2024, 43(06): 410-414 DOI:10.19670/j.cnki.dlgydxxb.2024.6002

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