考虑驱动参数的Si/SiC混合器件损耗建模研究

摘要

针对SiC MOSFET与Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件在不同驱动参数下损耗模型精度低问题，提出一种基于驱动参数的损耗建模方法.首先，在两种典型开关时序下分段分析Si/SiC混合器件的暂态过程.其次，基于驱动电压与驱动电阻构建损耗模型.最后，搭建双脉冲测试与稳态参数测量实验平台，在不同驱动电阻、不同负载电流与不同驱动电压条件下验证模型的准确性.实验结果表明，开关时序Ⅰ下开通损耗与关断损耗模型的拟合度分别达到97.61%和99.20%；在开关时序Ⅱ下，开通损耗与关断损耗模型的拟合度分别为97.83%和97.66%.

关键词

功率半导体器件 / SiC MOSFET / Si IGBT / 混合器件 / 损耗 / 驱动参数