SRAM单粒子效应检错电路研究与设计

白创; 李云杰

doi:10.16339/j.cnki.hdxbzkb.2025298

湖南大学学报（自然科学版） ›› 2025, Vol. 52 ›› Issue (12) : 197 -205. DOI: 10.16339/j.cnki.hdxbzkb.2025298

SRAM单粒子效应检错电路研究与设计

白创, 李云杰

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摘要

为了解决单粒子效应引起的航天器静态随机存取存储器数据出错难题，本文研究了基于错误检查纠正电路和完整性检测器相结合的静态随机存取存储器在线检测错误方法及电路实现技术.其中，错误检查纠正电路采用（39,32）汉明码设计，实现数据访问时单比特错误自动检错与纠错.完整性检测器基于哈希函数校验原理设计，实现对数据周期性循环检查.基于CMOS 0.18μm工艺设计实现数据在线检错电路.仿真结果表明，该电路能够主动周期性对内存数据进行检查，修复单比特错误和检测出多比特错误，有效提高数据的可靠性.