低功耗高电源抑制比的锁频环型片上RC振荡器

阴亚东, 吴志伟, 邱学炜, 方宇龙, 钟杨源, 高跃明

湖南大学学报(自然科学版) ›› 2026, Vol. 53 ›› Issue (02) : 193 -199.

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湖南大学学报(自然科学版) ›› 2026, Vol. 53 ›› Issue (02) : 193 -199. DOI: 10.16339/j.cnki.hdxbzkb.2026168

低功耗高电源抑制比的锁频环型片上RC振荡器

    阴亚东, 吴志伟, 邱学炜, 方宇龙, 钟杨源, 高跃明
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本文提出了一种基于惠斯顿电桥的锁频环型片上阻容(RC)振荡器,其主要由惠斯顿电桥、误差放大器、压控振荡器(voltage-controlled oscillator, VCO)、无交叠时钟生成电路以及低压差线性稳压器(low-dropout linear regulator, LDO)等组成.采用惠斯顿电桥通过阻容充放电形式实现VCO输出信号的频率-电压转换;与常规方法相比,惠斯顿电桥节省了芯片面积并提高了频率稳定性.采用LDO为锁频环路核心模块提供稳定电源,有效提升了振荡器的电源抑制能力.采用高阈值MOS管所构成的反相器级联环形振荡器构成VCO;通过将其供电电压设置为低于反相器中N/PMOS阈值电压之和的方式,有效地避免了N/PMOS同时导通而极大地降低了VCO功耗.完成了振荡器的工作原理分析、锁频环小信号模型建模分析及各模块的电路设计;采用CSMC 180 nm BCD工艺完成了流片验证和测试.测试结果表明,在锁频环作用下VCO锁定振荡于1.98 MHz频率而偏离目标频率1%;当电源电压为(4±1.5) V时,其电源灵敏度(line sensitivity)不超过200×10-6/V;在-20~100℃温度范围内,频率温漂不超过3%,对应250×10-6/℃;工作电流仅11.26μA.与同类设计相比,本文所述锁频环型片上RC振荡器具有较低功耗、较高电源抑制能力和较为优良的品质因数(FoM).

关键词

RC振荡器 / 锁频环 / 惠斯顿电桥

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阴亚东, 吴志伟, 邱学炜, 方宇龙, 钟杨源, 高跃明. 低功耗高电源抑制比的锁频环型片上RC振荡器[J]. 湖南大学学报(自然科学版), 2026, 53(02): 193-199 DOI:10.16339/j.cnki.hdxbzkb.2026168

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