取向电工钢二次再结晶过程中Goss晶粒异常长大机制

摘要

掌握取向电工钢二次再结晶的理论对于指导生产工艺的调整，确保产品质量具有重要意义。二次再结晶过程中，弥散分布的抑制剂粒子始终强烈地阻碍着晶界迁移和晶粒长大。因此，仅偏重于晶界初始迁移行为的现有二次再结晶理论，不仅无法厘清二次再结晶的机制，更无法解释较小尺寸的Goss晶粒最终能吞噬其他晶粒的普遍行为。研究认为，抑制剂粒子在铁素体基体内析出产生的巨大摩尔体积效应会强烈遏制高温下钢板中心层粒子的粗化，但表层粒子仍有粗化的机会。因此，表层晶粒能先于中心层晶粒长大。铁素体在高温下非常突出的弹性各向异性导致表层大尺寸非Goss晶粒的晶界仅能缓慢地向Goss晶粒迁移，而表层Goss晶粒的晶界则可以快速向所邻接的小尺寸非Goss晶粒迁移，并逐渐积累尺寸绝对优势，吞噬掉其他所有晶粒，最终形成极强的Goss织构。

关键词

取向电工钢 / Goss晶粒 / 异常长大 / 织构