硅半导体器件电离辐射及电磁脉冲协同效应研究综述

张磊; 张帅; 董磊; 段鑫沛; 邱一武; 殷亚楠; 周昕杰

doi:10.13682/j.issn.2095-6533.2026.02.004

西安邮电大学学报 ›› 2026, Vol. 31 ›› Issue (2) : 32 -45. DOI: 10.13682/j.issn.2095-6533.2026.02.004

硅半导体器件电离辐射及电磁脉冲协同效应研究综述

张磊, 张帅, 董磊, 段鑫沛, 邱一武, 殷亚楠, 周昕杰

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摘要

宇航用航天器、卫星及激光惯性约束聚变装置中的电子系统常面临辐射环境的影响，硅半导体器件作为集成电路和电子设备的基本组成单元，在辐射环境下易发生瞬态失效与长期退化，严重影响电子系统的电磁兼容性与电磁脉冲抗扰度。电离辐射与电磁脉冲共存使得辐射环境复杂性加剧，对航天器在轨运行及国防安全均造成重大威胁。然而，电离辐射与电磁脉冲的协同效应对硅半导体器件性能和可靠性的影响尚未得到充分关注与深入研究。通过阐明硅半导体器件辐射损伤机制，系统归纳典型硅半导体器件在电离辐射与电磁脉冲协同效应的研究成果，分析提升硅半导体器件的加固技术并探讨其发展趋势，旨在为未来相关领域的深入研究提供理论参考。