基于InP工艺的采样保持电路发展综述

仲易; 张益铭; 戴军; 王增双; 孙楠

doi:10.13682/j.issn.2095-6533.2026.04.006

西安邮电大学学报 ›› 2026, Vol. 31 ›› Issue (4) : 52 -62. DOI: 10.13682/j.issn.2095-6533.2026.04.006

基于InP工艺的采样保持电路发展综述

仲易, 张益铭, 戴军, 王增双, 孙楠

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摘要

针对超高速模数转换器（Analog to Digital Converter,ADC）对前端采样保持电路在带宽、线性度和保持精度方面不断提升的需求，梳理了自2007年以来基于磷化铟异质结双极型晶体管（Indium Phosphide Heterojunction Bipolar Transistor,InP HBT）工艺的采样保持电路研究进展。系统分析了射极跟随器采样结构的非线性、噪声及保持电压衰减机理，总结了典型技术路径。重点比较了双开关反馈结构、基-集结二极管采样结构、f_T倍增与有源峰化技术以及发射极电容/电阻退化结构等方案的性能提升效果。文献对比结果表明，InP HBT工艺在高采样率、高线性度及能效平衡方面具有显著优势。未来研究将朝向异质集成、小型化与高能效方向发展，以满足下一代高速数据转换系统的需求。