Pt界面层对SiC_f/SiC复合材料力学和电磁屏蔽性能的影响

姜葳; 郁荣; 潘海军; 邓沛琳; 段士昌; 杨博

doi:10.13957/j.cnki.tcxb.2025.04.013

陶瓷学报 ›› 2025, Vol. 46 ›› Issue (04) : 796 -804. DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2025.04.013

Pt界面层对SiC_f/SiC复合材料力学和电磁屏蔽性能的影响

姜葳, 郁荣, 潘海军, 邓沛琳, 段士昌, 杨博

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摘要

SiC_f/SiC复合材料因具有电磁参数连续可调的特点，适用于电磁屏蔽领域。贵金属铂具有优异的导电性能，能有效反射电磁波，引入复合材料内部能够调控其电磁参数从而影响电磁屏蔽效果。采用磁控溅射工艺可实现Pt界面层均匀沉积在纤维束表面，厚度均匀可控。随着界面层厚度的增加，复合材料的弯曲强度和电磁屏蔽性能均呈现出先增加后降低的变化趋势，在界面层厚度为150 nm时，复合材料的弯曲强度均值达到425 MPa，相较无界面层复合材料提升了32%，在10 GHz的电磁屏蔽性能从16 dB提升至32 dB，增加了一倍，主要原因是Pt界面层的引入显著提高了复合材料的强度和介电常数虚部，使得其弯曲性能和电磁屏蔽性能均得到显著提升。