SiC_f对单粒径重结晶碳化硅多孔陶瓷性能的影响

邓仁卿; 陈嵛沣; 余超; 董博; 胡佳勋; 邓承继; 丁军; 祝洪喜; 朱青友

doi:10.13957/j.cnki.tcxb.2026.01.009

陶瓷学报 ›› 2026, Vol. 47 ›› Issue (1) : 85 -93. DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2026.01.009

SiC_f对单粒径重结晶碳化硅多孔陶瓷性能的影响

邓仁卿, 陈嵛沣, 余超, 董博, 胡佳勋, 邓承继, 丁军, 祝洪喜, 朱青友

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摘要

本研究以SiC粉体及SiC纤维（SiC_f）为原料，先制备不同SiC_f含量的多孔陶瓷坯体，再基于重结晶烧结工艺的蒸发—凝聚机理，在氩气气氛下经1600℃～2200℃保温1 h热处理得到碳化硅多孔陶瓷，研究了外加SiC_f及烧结温度对重结晶烧结碳化硅物相组成、显微结构及力学性能的影响规律及作用机理。结果表明：添加碳化硅纤维有提高传质效率的作用，当烧结温度为2100℃且外加20 wt.%SiC_f时，重结晶烧结SiC多孔陶瓷的力学性能获得了显著改善，材料的显气孔率、体积密度及常温抗弯强度分别为（45.5±0.8）%、（1.80±0.03） g·cm^–3及（43.44±4.75） MPa。但当热处理温度升至2200℃后，SiC_f会促进晶粒的异常生长，使其力学性能下降。