α-In2Se3铁电沟道场效应晶体管及其突触性能

胡辰; 彭松昂

doi:10.13471/j.cnki.acta.snus.ZR20250041

中山大学学报（自然科学版中英文） ›› 2025, Vol. 64 ›› Issue (03) : 103 -108. DOI: 10.13471/j.cnki.acta.snus.ZR20250041

α-In₂Se₃铁电沟道场效应晶体管及其突触性能

胡辰, 彭松昂

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摘要

利用机械剥离法制备α-In₂Se₃二维铁电材料，通过原子力显微镜分析样品的结构特征，并通过电子束光刻制备以α-In₂Se₃作为沟道的铁电沟道场效应晶体管。研究发现：通过在顶栅电极施加正负脉冲可以有效激励α-In₂Se₃面外极化，表现出增强和抑制的短程可塑性。并且，随着栅极电压脉冲积累，α-In₂Se₃面外极化特性会使得沟道铁电极化加强，对应的突触电流也会随之增加，从而实现由短程可塑性向长程可塑性的转变。此外，不同脉幅的激励信号可以调整长时程增强特性，展现了器件应用于复杂突触学习行为的可行性。