脑深部电刺激伏隔核对海洛因成瘾者抑制控制功能的影响：基于Go/No Go任务的事件相关电位研究

摘要

目的 探讨脑深部电刺激术(DBS)对药物成瘾患者抑制控制功能的影响。方法 采用64导联脑电记录系统，在视觉Go/No Go任务中对DBS术前和术后患者进行事件相关电位监测，分析N2、P3成分的幅值与潜伏期。结果 在8名患者的自身前后对照中，N2潜伏期的抑制效应在PZ电极上有显著差异(P<0.05)。术前与术后组间P3波幅比较显示，FZ电极存在显著差异(P<0.05);抑制效应在FZ、FCZ、CZ电极上的术前与术后组均差异显著(P<0.05)。P3潜伏期方面，Lapse(术后复吸)在PZ电极的NoGo-P3潜伏期上存在显著差异(P<0.05)。在15例患者的组间对照中，与Go刺激相比，前部脑区(FZ、FCZ、CZ) NoGo刺激诱发的P3波幅更大(P<0.05)，这与P3成分参与反应抑制的作用相符。P3d波幅在术前与术后组间显著差异(P<0.05)，术后NoGo-P3d波幅高于术前;未复吸患者的P3d波幅大于复吸患者(P<0.05)。结论 DBS-NAc治疗可在一定程度上改善海洛因成瘾患者的抑制控制功能，为阐明DBS术后认知功能变化的神经生理机制提供了证据。

关键词

脑深部电刺激 / 物质相关障碍 / 海洛因依赖 / 抑制,心理 / Go/No Go任务 / 事件相关电位,P300 / 神经生理学 / 伏隔核