单晶硅片化学机械抛光的表面损伤及对策阐述

Surface Damage and Countermeasures of Chemical and Mechanical Polishing of Monocrystalline Silicon Wafer

摘要

随着科学技术的发展，电子产品技术含量日益提升，同时硅片逐渐大直径化，且芯片厚度要求越来越薄，因此要对单晶硅片进行减薄加工处理化学机械抛光技术在单晶硅片加工处理中的应用，需要对化学试剂、机械参数等进行优化设计，才能提升抛光效果，并减少单晶硅片表面划伤、粗糙等损伤问题，实现硅片高效、精准、无损伤的光滑表面加工处理。论文主要对单晶硅片的化学机械抛光的表面损伤原因以及应对措施进行分析，从而进一步提升单晶硅片处理效果。

Abstract

With the development of science and technology, electronic products technology content, silicon gradually large diameter, and the chip thickness requires increasingly thin, so to monocrystalline silicon thinning processing chemical mechanical polishing technology in the application of monocrystalline silicon wafer processing, need to optimize the chemical reagents, mechanical parameters, etc., to improve polishing effect, and reduce the monocrystalline silicon surface scratch, rough damage, realize silicon wafer efficient, accurate, no damage of smooth surface processing. This paper mainly analyzes the surface damage causes and countermeasures of the chemical and mechanical polishing of monocrystalline silicon wafer, so as to further improve the treatment effect of monocrystalline silicon wafer.

关键词

单晶硅片 / 化学机械 / 抛光 / 表面损伤 / 对策

Key words

monocrystalline silicon wafer / chemical machinery / polishing / surface damage / countermeasures

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