硅片制备工艺中表面缺陷的检测与修复技术研究

Research on Detection and Repair Technology of Surface Defects in Silicon Wafer Preparation Process

摘要

检测与修复技术研究硅片制备过程中表面缺陷对器件性能的影响，论文对表面缺陷的种类、产生原因及对硅片性能的影响进行了分析。化学机械拋光（CMP）及离子注入修复技术原理及应用实践探讨了光学显微镜检测技术、自动化、智能化的发展趋势。检测和修复技术在实际制备过程中的应用效果，以及对硅片质量和器件性能的影响，均通过数据分析进行了验证。

Abstract

Detection and repair technology studies the influence of surface defects on device performance in the preparation process of silicon wafer, and analyzes the types of surface defects and their effects on the performance of silicon wafer. The principle and application practice of chemical mechanical polishing (CMP) and ion injection repair technology discuss the development trend of optical microscope detection technology, automation and intelligence. The application effect of detection and repair technology in the actual preparation process, and the effects on silicon wafer quality and device performance were verified by data analysis.

关键词

硅片制备工艺 / 表面缺陷 / 检测技术 / 修复技术

Key words

silicon wafer preparation process / surface defects / detection technology / repair technology

参考文献

[1] 宋园园. EBCMOS中电子倍增层的制备研究[D]. 长春: 长春理工大学, 2023.

[2] 刘碧慧. 高性能背钝化晶体硅太阳能电池铝浆的制备研究及应用[D]. 株洲: 湖南工业大学, 2023.

[3] 张飞. Cu-Sn-Ti金属结合剂超薄砂轮的制备与切割评价[D]. 泉州: 华侨大学, 2023.

[4] 辛毓. 原子层沉积氧化钛薄膜用于硅太阳电池的研究[D]. 保定: 河北大学, 2023.

[5] 刘永康. 用于生物传感的叉指微电极制备及生物传感器构建的研究[D]. 长沙: 中南大学, 2023.

[6] 周轶凡. 双面钙钛矿/硅叠层电池设计与制备研究[D]. 成都: 电子科技大学, 2023.