GaP/SiH范德华异质结构的可调谐电子和光学特性的第一性原理研究

摘要

预测并构建了一种Ⅱ型的GaP/SiH异质结构，并对其结构特性、电子特性和光学特性进行了研究.结果表明，该Ga P/Si H异质结构属于典型的Ⅱ型范德华异质结构，展现出卓越的能量稳定性.Ga P/Si H异质结构的带隙为2.24 e V，Ⅱ型能带结构的排列有效抑制了光生载流子的复合.通过施加不同的双轴应变和垂直应变，可以对异质结的电子结构进行一定范围内的精确调控.Ga P/Si H异质结构在可见光和紫外光区也表现出优异的光吸收性能，吸收率可达2.34×10～6 cm^-1.Ga P/Si H异质结构表现出的优异性能为光电子器件的设计提供了参考.

关键词

第一性原理 / GaP/SiH范德华异质结构 / 光吸收

基金资助

国家自然科学基金（批准号：62204232）资助