Cu-THQ薄膜的可控制备及其载流子迁移率调控

摘要

利用化学气相沉积（CVD）方法制备了具有不同表面粗糙度的Cu-THQ（THQ=四羟基-1,4-苯醌-水合物）薄膜，并研究了Cu-THQ薄膜的表面粗糙度、分子π-π堆积程度与载流子迁移率之间的内在联系，探索了CVD生长过程中温度对Cu-THQ薄膜载流子迁移率的调控机理.结果表明，热源附近的Cu-THQ-3薄膜中金属离子存在大量不饱和配位，导致层间电荷斥力减弱，形成更紧密的π-π堆积，薄膜表现出更高的表面粗糙度和载流子迁移率，此时，霍尔效应迁移率达到4.10 cm²·V^-1·s^-1.

关键词

导电金属有机框架 / 化学气相沉积 / 配位方式 / π-π堆积 / 霍尔效应载流子迁移率

基金资助

国家自然科学基金（批准号：22105151,52305211）; 湖北省重点研发计划项目（批准号：2022BAA094）; 湖北省自然科学基金(批准号：2024AFB836,2023AFB626,2022CFB626)资助