硼掺杂控制陷阱密度及能级实现碳点的余辉寿命调控与动态信息加密应用

Regulating Trap Density and Energy Levels Through Boron Doping to Achieve Duration-tunable Afterglow from Carbon Dots for Dynamic Information Encryption

摘要

提出了一种通过硼（B）元素掺杂调控无基质复合的“纯”碳点（CDs）陷阱密度与能级和延长其余辉持续时间的方法. 研究结果表明， 在以1，4-苯二硼酸、 氢氧化钠和三聚氰胺为原料制备的3种CDs中， 硼元素以 B—N和B—C键的形式掺入到CDs的结构中， 且掺杂浓度随硼源（1，4-苯二硼酸）比例的增加而升高. 这既 增加了CDs的陷阱密度， 也扩大了陷阱能级与激发三重态之间的能级差异. 此外， C=O和C=N键合的含量也随之增加， 促进了三重态激子的生成和系间窜跃. 利用陷阱捕获和存储三重态激子， 并使其缓慢释放， 可显著延长三重态激子的弛豫时间， 使CDs的余辉寿命从0.764 s延长至1.224 s， 余辉持续时间延长了4倍. 最后， 基于3种CDs余辉寿命的差异， 设计了一种基于CDs余辉强度随时间动态衰减的信息存储和加密方法.

关键词

碳点 / 室温余辉 / 陷阱 / 元素掺杂 / 动态信息加密

Key words

Carbon dots / Room temperature afterglow / Traps / Element doping / Dynamic information encryption