溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响

郭继花; 黄致新; 崔增丽; 杨磊; 邵剑波

doi:10.19603/j.cnki.1000-1190.2009.03.015

华中师范大学学报（自然科学版） ›› 2009, Vol. 43 ›› Issue (03) : 413 -415. DOI: 10.19603/j.cnki.1000-1190.2009.03.015

溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响

郭继花, 黄致新, 崔增丽, 杨磊, 邵剑波

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摘要

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响.测量结果表明:基片与靶间距为72 mm,溅射功率为75 W,溅射气压为0.5 Pa,薄膜厚度为120 nm时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力达到5966 Oe,克尔角为0.413°.