多功能磷化铟半导体材料的合成与表征

高强; 毛彩霞; 薛丽; 吴涛; 胡永红

doi:10.19603/j.cnki.1000-1190.2023.02.009

华中师范大学学报（自然科学版） ›› 2023, Vol. 57 ›› Issue (02) : 250 -254+280. DOI: 10.19603/j.cnki.1000-1190.2023.02.009

多功能磷化铟半导体材料的合成与表征

高强, 毛彩霞, 薛丽, 吴涛, 胡永红

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摘要

该文利用化学喷雾热解法，在773 K温度下，基于玻璃衬底沉积得到了磷化铟薄膜.进一步研究发现，磷化铟薄膜为立方相多晶，并且优先取向(111)方向，其直接带隙为1.50 eV.磷化铟薄膜呈现n型导电性，电阻率为5.18×10～3Ω·cm.因此，磷化铟薄膜材料在未来高频、大功率材料和光电子器件领域具有潜在应用.