集成串转并数字电路的C波段GaAs双通道幅相多功能芯片

摘要

基于0.15-μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管（E-mode pHEMT）工艺，研制了一款5.8～6.8 GHz的C波段双通道幅相多功能芯片。该芯片集成了7位数控衰减器、增益补偿低噪声放大器、6位数控移相器、功分器和30位串转并等电路。集成的串转并数字电路用于对两个通道的衰减移相进行控制和识别芯片地址。测试结果表明，参考态时，2个通道的增益为0～0.5 dB和-0.15～0.42 dB，测量噪声均小于6.38 dB；衰减态时，通道1和通道2的衰减均方根（RMS）误差小于0.35 dB和0.34 dB，对应的附加调相RMS误差小于2.5°和2.45°；移相态时，通道1和通道2的移相RMS误差小于2.27°和2.36°，对应的寄生调幅RMS误差均小于0.27 dB。该多功能芯片具有衰减位数多、衰减移相精度高、衰减附加调相和移相寄生调幅小、集成度高的特点。

关键词

GaAs / 双通道幅相多功能芯片 / 数控衰减器 / 增益补偿低噪声放大器 / 数控移相器 / 串转并数字电路