射频磁控溅射制备CdS薄膜性质研究

王昊民; 管雪; 顾广瑞

doi:10.16379/j.cnki.issn.1004-4353.2024.02.004

延边大学学报（自然科学版） ›› 2024, Vol. 50 ›› Issue (02) : 31 -38. DOI: 10.16379/j.cnki.issn.1004-4353.2024.02.004

射频磁控溅射制备CdS薄膜性质研究

王昊民, 管雪, 顾广瑞

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摘要

利用射频磁控溅射技术，在玻璃和Si(111)的基板上沉积CdS薄膜，并研究了溅射功率对薄膜的结构、光学和电学特性等影响．X射线衍射结果表明，在不同溅射功率下制备的CdS薄膜样品，均表现为在(002)方向择优生长，其晶粒尺寸和表面粗糙度均随溅射功率的增大而增大．透射光谱分析表明，CdS薄膜在近红外光区域具有较大的透射率．对Tauc曲线进行分析显示，薄膜的带隙随溅射功率的增大而减小．霍尔效应测试表明，薄膜的电阻率随着溅射功率的增加而降低，而载流子浓度则随着溅射功率的增加而增大．研究结果可为CdS薄膜在光电器件方面的应用提供参考．