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摘要
集成电路的发展要求材料具有低介电常数,可通过添加纳米空洞材料降低聚合物的介电常数。以3,3′,4,4′-联苯四甲酸二酐(BPDA)、4,4′-二氨基二苯醚(ODA)合成的聚酰亚胺(PI)为基体,引入ZIF-67、OPS为纳米填料,制备ZIF-67/PI、OPS/PI、OPS/ZIF-67/PI复合材料薄膜。通过傅里叶变换红外光谱、扫描电子显微镜、X射线衍射仪对ZIF-67及上述3种复合材料薄膜进行表征,研究ZIF-67、OPS的含量对复合材料薄膜热稳定性与介电性能的影响。实验结果表明:当添加一定质量分数的ZIF-67与OPS时,OPS/ZIF-67/PI复合材料薄膜的热稳定性较PI有所下降,但是其分解温度仍大于440℃,具有较好的热稳定性;OPS/ZIF-67/PI复合材料薄膜的介电常数低于纯PI薄膜,当OPS的质量分数为5%、ZIF-67的质量分数为7%时,OPS/ZIF-67/PI复合材料薄膜的介电常数为0.69(1 kHz),相对于ZIF-67添加量为7%的ZIF-67/PI复合材料薄膜的介电常数(1.65,1 kHz)下降了58.2%,相对于OPS添加量为5%的OPS/PI复合材料薄膜的介电常数(2.52,1 kHz)下降了72.6%,相对于纯PI(2.98,1 kHz)下降了76.8%。当添加一定质量分数的OPS与ZIF-67时,复合材料薄膜的介电损耗略微增加。
关键词
聚酰亚胺
/
ZIF-67
/
OPS
/
热稳定性
/
介电性能
Key words
田磊, 戴培邦, 张倍铭
OPS/ZIF-67/PI复合材料薄膜的制备与性能[J].
桂林电子科技大学学报, 2024, 44(05): 505-510 DOI:10.16725/j.1673-808X.2022335