双轴应变与外加电场下单层Sb2Te2Se纳米膜电子结构的第一性原理计算

赵维乐; 周刚; 王智敏; 甘慧敏

doi:10.16725/j.1673-808X.2023130

桂林电子科技大学学报 ›› 2025, Vol. 45 ›› Issue (4) : 399 -404. DOI: 10.16725/j.1673-808X.2023130

双轴应变与外加电场下单层Sb₂Te₂Se纳米膜电子结构的第一性原理计算

赵维乐, 周刚, 王智敏, 甘慧敏

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摘要

基于密度泛函理论，系统地研究了双轴应变与外加电场对单层Sb₂Te₂Se纳米膜电子结构的影响。研究结果表明，拉伸应变使单层Sb₂Te₂Se纳米膜费米能级附近的导带变得陡峭且价带变得平坦，同时带隙会减小，压缩应变能达到相反的效果。拉伸应变增强费米能级附近的态密度，态密度的增强会提高单层Sb₂Te₂Se纳米膜的热电性能。电场强度在0.1～0.3 V/?范围内，费米能级附近的导带和价带在外电场下变化较小，且带隙几乎不随外电场变化，这主要是由于屏蔽效应的缘故。