用于北斗接收机的低噪声放大器芯片设计

摘要

为了满足北斗接收机系统集成化,采用成都海威华芯公司0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款工作在北斗L1频段单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。该LNA采用源级串连电感和栅漏端并联负反馈的两级级联电路结构,实现了低噪声高增益匹配,工作频带为1.5～1.6 GHz,漏极电压3.3 V,工作电流为60 mA时,芯片测试结果显示功率增益大于21 dB,噪声系数小于2 dB,在工作频带内输入输出回波损耗优于10 dB,面积为1 mm×2 mm。仿真结果和测试结果有很好的一致性,可用于北斗接收机射频前端。

关键词

低噪声放大器 / 单片微波集成电路 / 砷化镓

基金资助

国家自然科学基金(61764001,61474031,61874036,61805053); 广西自然科学基金(2016GXNSFDA380021); 精密导航技术与应用广西重点实验室基金(DH201801,DH201808,DH201702,DH201701); 广西教育厅科研项目(2018KY0193); 广西创新研究团队项目(2018JJF170001); 桂林电子科技大学研究生教育创新计划(2018YJCXB15,2018YJCX25,2019YCXS029);桂林电子科技大学研究生培优项目(16YJPYSS09); 杭州电子科技大学开放课题(开放基金)