用于北斗接收机的低噪声放大器芯片设计

摘要

为了满足北斗接收机系统集成化,采用成都海威华芯公司0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款工作在北斗L1频段单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。该LNA采用源级串连电感和栅漏端并联负反馈的两级级联电路结构,实现了低噪声高增益匹配,工作频带为1.5～1.6 GHz,漏极电压3.3 V,工作电流为60 mA时,芯片测试结果显示功率增益大于21 dB,噪声系数小于2 dB,在工作频带内输入输出回波损耗优于10 dB,面积为1 mm×2 mm。仿真结果和测试结果有很好的一致性,可用于北斗接收机射频前端。

关键词

低噪声放大器 / 单片微波集成电路 / 砷化镓