一种低温度系数恒流源设计

蒋丽, 侯伶俐, 韦雪明

桂林电子科技大学学报 ›› 2020, Vol. 40 ›› Issue (03) : 255 -258.

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桂林电子科技大学学报 ›› 2020, Vol. 40 ›› Issue (03) : 255 -258. DOI: 10.16725/j.cnki.cn45-1351/tn.2020.03.016

一种低温度系数恒流源设计

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为了降低温度变化对基准电流源输出电流的影响,设计了一种基于NMOS管负温系数和电阻正温系数进行温度补偿的恒流源电路。采用自偏置运放结构稳定运算放大器偏置的低温漂的恒流源。该恒流源采用CMOS 180μm工艺设计。仿真结果表明,当输出基准电流为100μA,温度为-20~100℃时,电流温度系数为21×10-6-1,当电源电压为1~3 V时,基准电流仅变化2.7%,且该基准电流源的电源抑制比可达69 dB。

关键词

恒流源 / 带隙基准 / 温度系数

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蒋丽, 侯伶俐, 韦雪明 一种低温度系数恒流源设计[J]. 桂林电子科技大学学报, 2020, 40(03): 255-258 DOI:10.16725/j.cnki.cn45-1351/tn.2020.03.016

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