一种低温漂系数的高性能基准电压源

徐江, 段吉海, 符征裕, 崔鹏, 黄秀玲

桂林电子科技大学学报 ›› 2021, Vol. 41 ›› Issue (01) : 25 -30.

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桂林电子科技大学学报 ›› 2021, Vol. 41 ›› Issue (01) : 25 -30. DOI: 10.16725/j.cnki.cn45-1351/tn.2021.01.005

一种低温漂系数的高性能基准电压源

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摘要

为了在宽温度范围内得到较低温漂系数的输出电压,设计了一种电压补偿模式结构的高精度基准电压源,采用栅源电压差分对作差的方式对该基准电压进行温度补偿。MOS管线性区电阻在工作在亚阈值区的2个MOS管的栅源电压差作用下,产生温漂系数较低的偏置电流,通过不同标准电压下的晶体管产生基准电压。基于180nm CMOS器件模型,在cadence上对电路进行设计仿真和对比分析。结果表明,在温度为-25~150℃时,温度系数为3.91ppm/℃;在1.3~3.3V电源电压范围内,电压调整率达到0.58%;在100Hz时,电源抑制比为-63.5dB;功耗仅为115.7nW,芯片面积为0.0054mm2

关键词

亚阈值区 / 基准电压源 / 低功耗 / 温漂 / 电压模式

Key words

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徐江, 段吉海, 符征裕, 崔鹏, 黄秀玲 一种低温漂系数的高性能基准电压源[J]. 桂林电子科技大学学报, 2021, 41(01): 25-30 DOI:10.16725/j.cnki.cn45-1351/tn.2021.01.005

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