团簇Mo2S4的极化率与电子自旋密度的计算分析

王倩; 方志刚; 秦渝; 井润田; 侯欠欠; 郑新喜

doi:10.19926/j.cnki.issn.1674-232X.2022.01.001

杭州师范大学学报（自然科学版） ›› 2022, Vol. 21 ›› Issue (1) : 1 -5. DOI: 10.19926/j.cnki.issn.1674-232X.2022.01.001

团簇Mo₂S₄的极化率与电子自旋密度的计算分析

王倩, 方志刚, 秦渝, 井润田, 侯欠欠, 郑新喜

作者信息 +

Author information +

文章历史 +

摘要

为了解团簇Mo₂S₄的形变情况及电子自旋分布对其稳定性的影响,在密度泛函理论的基础上对团簇Mo₂S₄的极化率和电子自旋密度进行了系统的计算分析,并得出以下结果:团簇分子的变形程度与其空间结构有关;三重态中,构型1^（3）、4^（3）外围电子自旋密度分布均匀,各原子间成键强度相近,稳定性较好,同理,构型2^（3）、3^（3）、5^（3）的外围电子自旋密度分布不均匀,对称性差,各原子间成键强度不同,稳定性较差;团簇分子的稳定性并不单一地由电子自旋密度所决定.