Ta:SnO2薄膜的制备与性能研究

秦国强, 封雅宏, 张光磊, 杨亮亮, 张娟娟, 马岳峰

doi:10.13319/j.cnki.sjztddxxbzrb.2013.02.002

石家庄铁道大学学报（自然科学版） ›› 2013, Vol. 26 ›› Issue (02) : 92 -95. DOI: 10.13319/j.cnki.sjztddxxbzrb.2013.02.002

Ta:SnO₂薄膜的制备与性能研究

秦国强, 封雅宏, 张光磊, 杨亮亮, 张娟娟, 马岳峰

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摘要

SnO2作为一种典型的宽带隙半导体材料具有许多优异的物理和化学性质,例如极高的电子电导率、可见光透过率和化学稳定性,因此广泛用于光电材料、太阳能电池和气敏材料等各领域。采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Ta掺杂SnO2透明导电薄膜,其中Ta含量在8atom.%左右。Ta:SnO2薄膜的表面形貌较平整,但由于局部应力使薄膜出现了细小的断裂。Ta:SnO2薄膜为金红石结构,结晶程度较高,由于Ta5+、Sn4+离子半径接近,Ta原子溶入SnO2的晶格中置换Sn原子位置形成了稳定均一的固溶体结构,因此没有第二相出现,但是其晶格常数略有变化。