二维Bi2Se3薄膜的制备及光电性能研究

荣泽坤; 罗斯玮; 钟建新

doi:10.13715/j.cnki.nsjxu.2021.02.005

湘潭大学学报（自然科学版） ›› 2021, Vol. 43 ›› Issue (02) : 1 -6. DOI: 10.13715/j.cnki.nsjxu.2021.02.005

二维Bi₂Se₃薄膜的制备及光电性能研究

荣泽坤, 罗斯玮, 钟建新

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摘要

二维材料由于其优异的电学和光学性能使其在光电器件领域得到了广泛关注.Bi₂Se₃是一种基于强自旋轨道耦合作用形成的拓扑绝缘体,具有高热电系数,一个相互交错的Dirac表面态,且只存在一个Dirac点,是一种理想的拓扑绝缘体材料,有潜力成为室温低能耗的自旋电子器件.该文使用气相沉积法分别在SiO₂/Si基底和柔性PI基底上生长出了连续、高质量的Bi₂Se₃薄膜,在此基础上构建了Bi₂Se₃光电探测器,测试结果表明Bi₂Se₃薄膜材料具有优越的宽波段光谱响应性能,并在柔性PI基底上表现出优异的抗疲劳性能,在新一代柔性光电器件领域有着非常大的应用潜力.