10 MeV高能电子辐照对4H-SiC晶体结构和电学性质的影响

刘晓星; 袁智明; 李岳彬; 李根

doi:10.19789/j.1004-9398.2022.02.005

首都师范大学学报（自然科学版） ›› 2022, Vol. 43 ›› Issue (02) : 29 -35+41. DOI: 10.19789/j.1004-9398.2022.02.005

10 MeV高能电子辐照对4H-SiC晶体结构和电学性质的影响

刘晓星, 袁智明, 李岳彬, 李根

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摘要

本文研究了10 MeV电子辐照对4H-SiC的晶体结构和电学性能的影响. X射线衍射和拉曼光谱分析结果表明：1.29×1019、2.60×1019和3.90×10¹⁹cm^-2的电子辐照剂量对样品的晶体结构和晶型无显著影响，剂量达到5.20×10¹⁹cm^-2后，样品内部会产生轻微的晶格畸变.通过非接触式电阻测量仪分析样品的电阻率，显示随着辐照累积剂量的增加，样品的电阻率逐渐增加，电阻分布逐渐均匀.